Samsung запускает массовое производство первых в индустрии 128 ГБ модулей DDR4

Вслед за представлением первого в мире модуля памяти DDR4 (64 Гб) с использованием технологии трехмерного (3D) сквозного вертикального соединения кристаллов (TSV) в 2014 году, компания презентовала новые модули регистровой памяти с двухрядным расположением выводов (RDIMM) на основе технологии TSV, позволяющие использовать невероятно ёмкую память на качественно новом уровне. Новые модули памяти DDR4 с использованием технологии TSV от Samsung предлагают наибольшую ёмкость и наивысшую энергоэффективность в сравнении с любыми модулями DRAM, доступными на рынке сегодня. При этом они демонстрируют высокую скорость работы и надёжность.«Мы довольны тем, что начало массового производства наших высокоскоростных энергоэффективных 128-гигабайтных модулей DRAM-памяти с использованием технологии сквозного вертикального соединения кристаллов позволит нашим партнёрам и пользователям по всему миру внедрить новые корпоративные решения со значительно улучшенной эффективностью и масштабируемостью инвестиций», – отметил Жду Сан Чой (Joo Sun Choi), исполнительный вице-президент подразделения Memory Sales & Marketing компании Samsung Electronics. – «Мы продолжим наше техническое сотрудничество с мировыми лидерами в сегменте серверов и потребительской электроники на развивающихся рынках, благодаря чему пользователи смогут ощутить преимущества инновационных технологий, которые повышают их производительность и улучшают общие впечатления от использования устройств».
128-гигабайтный чип памяти DDR4 с использованием технологии сквозного вертикального соединения кристаллов (TSV) и двухрядным расположением выводов (RDIMM) состоит из 144 чипов DDR4, объединённых в 36 блоков по 4 ГБ, в каждом из которых находятся четыре 8-гигабайтных чипа, выполненные по 20-нанометровой техпроцессу с применением TSV.
Блоки обычного чипа реализуют стек посредством проводного соединения, тогда как в блоках с использованием технологии сквозного вертикального соединения (TSV) кристаллы кремния стачиваются до толщины в несколько микронов, после чего в них проделываются сотни мельчайших отверстий. Через них пропускаются электроды, благодаря чему достигается значительное улучшение передачи сигнала. Вдобавок к совмещению наибольшей в индустрии ёмкости и усовершенствованной схемы сквозного вертикального соединения кристаллов, новый модуль памяти DDR4 TSV от Samsung объемом 128 ГБ также имеет усовершенствованную конструкцию: мастер-чип каждого блока внедряет функцию буфера данных, что позволяет оптимизировать производительность модуля и улучшить энергопотребление.
Как результат, 128-гигабайтный чип памяти DDR4 с использованием технологии TSV и двухрядным расположением выводов (RDIMM) от Samsung обеспечивает практически двукратное увеличение производительности и 50-процентное уменьшение энергопотребления для серверов нового поколения (до 2400 мегабит в секунду) в сравнении с предыдущим поколением модулей DRAM. Последние представлены модулями с двухрядным расположением выводов и сниженной нагрузкой ёмкостью 64 ГБ, скорость и мощность которых были ограничены из-за использования обычного проводного соединения.
Samsung реагирует на рост спроса на модули DRAM ультра-высокой ёмкости путём увеличения темпов внедрения технологии TSV и производства 8-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти, выполненных по 20-нанометровому техпроцессу. Линейки новых высокопроизводительных модулей DRAM TSV, в том числе и модуль LRDIMMs на 128 ГБ, будут доступны в течение ближайших нескольких недель, что подтверждает лидирующие позиции и расширение рынка премиальных решений от компании Samsung. 
Samsung будет продолжать поддерживать своё лидерство в области высоких технологий при помощи создания модулей DRAM с использованием технологии сквозного вертикального соединения кристаллов (TSV) со значительно большей производительностью. К ним относятся модули, поддерживающие скорость передачи данных до 2667 и 3200 мегабит в секунду. Такие решения позволят удовлетворить растущие потребности корпоративных серверов.